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Getrennte Halbleiterbauelemente
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
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PTF140451E V1 |
IC FET RF LDMOS 45W H-30265
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Vorräte
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DTC114EUBTL |
TRANSPORT PREBIAS NPN 200MW UMT3F
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Vorräte
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NHDTA124EUF |
NHDTA124EU/SOT323/SC-70
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Vorräte
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BLF7G27L-135,112 |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.
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Vorräte
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PTF140451F V1 |
IC FET RF LDMOS 45W H-31265
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Vorräte
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Trans Prebias PNP 200 MW SC59-3
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Vorräte
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Trans Prebias NPN 200 MW SOT23-3
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Vorräte
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AFM907NT1 |
Wird die Leistung von MOSFET-LDMOS-Systemen mit einer Leistung von 7,5 V 10-DFN erhöht?
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Vorräte
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BCR512E6327HTSA1 |
NPN 0,33W SOT23-3
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Vorräte
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NPT35015D |
HEMT N-CH 28V 18W 3300-3800MHZ
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Vorräte
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BLF8G22LS-140U |
Rf FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
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Vorräte
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Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführt. |
Trans Prebias PNP 200 MW SOT23-3
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Vorräte
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RN2308, LF |
Trans Prebias PNP 50V 0,1A USM
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Vorräte
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführt. |
FET RF 30V 460MHZ 79A
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Vorräte
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DRA9113Z0L |
Trans Prebias PNP 125 MW SSMINI3
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Vorräte
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MRF1513NT1 |
Fet-RF 40V 520MHZ PLD-1.5
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Vorräte
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CGH35240F |
240 W GAN HEMT 28V 3,1-3,5 GHz FET
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Vorräte
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DTC143ZET1G |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
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Vorräte
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MRF7S27130HSR5 |
FET RF 65V 2,7 GHz NI-780S
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Vorräte
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
Trans Prebias PNP 200 MW SOT23-3
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Vorräte
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PDTC115ET,215 |
Trans Prebias NPN 250 MW bis 236 AB
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Vorräte
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PTF210101M V1 |
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
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Vorräte
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2N5485_D75Z |
JFET N-CH 25V 10MA TO92
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Vorräte
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DDTA115EUA-7 |
Trans Prebias PNP 200 MW SOT323
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Vorräte
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MRF9135LR5 |
FET RF 65V 880MHZ NI-780
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Vorräte
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DTC143EUBTL |
TRANSPORT PREBIAS NPN 200MW UMT3F
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Vorräte
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J300_D26Z |
JFET N-CH 25V TO92
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Vorräte
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Die Angaben sind in Anhang I zu finden. |
Trans BRT PNP 100MA 50V SOT323
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Vorräte
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Die Bezeichnung "ATF-38143-TR1G" |
IC PHEMT 1,9 GHz 4,5 V 10 MA SOT343
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Vorräte
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FJN4306RTA |
Trans Prebias PNP 300 MW TO92-3
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Vorräte
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BLF574XRS, 112 |
Rf FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B
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Vorräte
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PDTC124EU,135 |
Trans Prebias NPN 200 MW SOT323
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Vorräte
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CGHV38375F |
400W 50V GAN HEMT, 2,75 bis 3,75 GHz
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Vorräte
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PDTC114ET,235 |
Trans Prebias NPN 250 MW bis 236 AB
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Vorräte
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BF545C,215 |
JFET N-CH 30V 25MA SOT23
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Vorräte
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ADTC143ZUAQ-7 |
Vorbehaltlich der in Absatz 1 genannten Bedingungen
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Vorräte
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VRF161MP |
FET RF NCH 170V 30MHZ M174
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Vorräte
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PDTB143XTR |
Trans Prebias PNP 0,46 W
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Vorräte
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MRF6VP41KHSR6 |
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S
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Vorräte
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DTA144TET1G |
Trans Prebias PNP 50V 100MA SC75
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Vorräte
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
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Vorräte
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UNRL21300A |
Trans Prebias NPN 150 MW ML4-N1
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Vorräte
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Einheit für die Berechnung der in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG genannten Kosten |
IC-TRANSPORT-RF LDMOS
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Vorräte
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DTA114TU3T106 |
Trans Prebias PNP 50V 100MA UMT3
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Vorräte
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mit einer Breite von mehr als 20 mm,112 |
Rf FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
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Vorräte
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BCR521E6327HTSA1 |
NPN 0,33W SOT23-3
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Vorräte
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BLF404 und115 |
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Berechnung der Leistung der Zulassung.
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Vorräte
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DTD523YE3TL |
NPN, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI
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Vorräte
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht. |
Fet-RF 110V 220MHZ TO-272-4
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Vorräte
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Die Angaben sind in Anhang I zu entnehmen. |
Trans Prebias PNP 200 MW SOT323
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Vorräte
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