NPT35015D
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Beschreibung:
HEMT N-CH 28V 18W 3300-3800MHZ
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Nennspannung:
100 V
Paket:
Schlauch
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SOIC-EP
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
MACOM Technologielösungen
Häufigkeit:
3.3 GHz ~ 3.8 GHz
Gewinn:
10.5 dB
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) freiliegendes Pad
Gegenwärtig - Test:
200 mA
Leistung - Leistung:
1.7W
Technologie:
HEMT
Leistungsbewertung (Ampere):
5A
Basisproduktnummer:
NPT35015
Einleitung
RF Mosfet 28 V 200 mA 3,3 GHz ~ 3,8 GHz 10,5 dB 1,7 W 8-SOIC-EP
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: