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Getrennte Halbleiterbauelemente

BildTeil #BeschreibungfabricantLagerbestandZulassung
Qualität [#varpname#] usine

PDTC114EK,135

Trans Prebias NPN 250 MW SMT3
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

MRF5S4140HSR5

FET RF 65V 465MHZ NI-780S
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

RN1307, LF

NPN 50V 0,1A USM
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

PTVA030121EAV1XWSA1

IC AMP RF LDMOS
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

RN1410, LXHF

AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4,7K, VCEO=
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

BLP10H605Z

Rf FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

MRF7S21150HSR3

FET RF 65V 2,17 GHz NI-780S
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 erfasst.

Trans Prebias NPN 150 MW SOT523
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

3SK292 (TE85R, F)

MOSFET N-CH 12,5 30MA SMQ
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

RN2402, LXHF

Auto AEC-Q Single PNP Q1BSR = 10K,
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

Die Bezeichnung des Erzeugnisses ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 zu finden.

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verwalten.
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

BLF888 und112

Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

BLF8G27LS-100V,112

MOSFET LDMOS 28V CDFM6
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

UNR911AG0L

Trans Prebias PNP 125 MW SSMINI3
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.

FET RF 110V 860MHZ TO270-4
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

RN2101MFV,L3XHF(CT

AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7K, Q1BER
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

PDTA115EM,315

Trans Prebias PNP 250 MW SOT883
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

Die Angabe der Angabe des Zulassungsdatums ist in der Angabe des Zulassungsdatums anzugeben.

FET RF 15V 3,55 GHz 1,5PLD
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

UNR511100L

Trans Prebias PNP 150 MW SMINI3
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

BLC8G09XS-400AVTZ

Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

DTC115TETL

Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

CLF1G0035S-50,112

Rf FET HEMT 150V 11.5DB SOT467B
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

BLS6G3135-120,112

Wird die Leistung von LDMOS 60V 11DB SOT502A übertragen?
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

DTB123ECT116

PNP -500MA/-50V digitaler Transistor
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

PDTA143XM,315

Trans Prebias PNP 250 MW SOT883
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

BLF7G24L-140,112

Rf FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

FET RF 2CH 40V 520MHZ zu 270-4
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

DTC113ZCA

SOT-23 NPN 0.2W 0.1A Transistor
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

FJV4101RMTF

Trans Prebias PNP 200 MW SOT23-3
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

BLF145.112

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungs
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

BLP15M9S70Z

BLP15M9S70/SOT1482/REELDP
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.

Trans Prebias PNP 200 MW SOT23-3
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

PDTA144VU,115

Trans Prebias PNP 50V SOT323
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

BLF6G15LS-40RN,112

Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

DTD143ECT116

NPN 500MA / 50V digitaler Transistor
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

MRF6S19100HSR5

FET RF 68V 1,99 GHz NI-780S
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

1214GN-400LV

Trans, GAN, 1200-1400 MHz, 400 Watt,
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

DDTA143EE-7-F

Trans Prebias PNP 150 MW SOT523
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

MRF6S9160HSR5

FET RF 68V 880MHZ NI-780S
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

RN1101, LXHF(CT

AUTO AEC-Q NPN Q1BSR = 4,7K
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

BLD6G21L-50,112

Rf FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

PDTB123EUX

Trans Prebias PNP 0,425 W
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

MRF6VP3091NR1

FET RF 2CH 115V 860MHZ TO270-4
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

PDTB123ET,215

Trans Prebias PNP 50V bis 236AB
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

Die Angabe der Größenordnung ist in Anhang I zu entnehmen.

Trans Prebias NPN 150 MW SOT523
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

BLC10G22XS-400AVTZ

BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

RN1109, LF(CT

Trans Prebias NPN 50V 0,1A SSM
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des Europäischen Parlaments und des Rates [3] erfasst.

FET RF 65V 2,17 GHz NI780HS
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

PD20015C

FET RF 40V 2GHz M243
Vorräte
Qualität [#varpname#] usine

DRC3143Z0L

NPN 100 MW SSSMINI3
Vorräte
556 557 558 559 560