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Getrennte Halbleiterbauelemente
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
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DTB114ECHZGT116 |
PNP -500MA -50V digitaler Transistor
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Vorräte
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DTC114EM3T5G |
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
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Vorräte
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BLF8G20LS-230VU |
Rf FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
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Vorräte
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MRFE6VP5150GNR1 |
FET RF 2CH 133V 230MHZ bis 270 GW
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Vorräte
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PDTC114EU,115 |
Trans Prebias NPN 200 MW SOT323
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Vorräte
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BF245A,112 |
JFET N-CH 30V 6.5MA TO92
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Vorräte
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Einheitliche Regelung für die Verwendung von |
NPN 100 MW SSSMINI3
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Vorräte
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PDTC123TMB,315 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu überwachen.
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Vorräte
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Die in Anhang I aufgeführten Angaben sind zu beachten. |
JFET N-CH 25V 20MA TO92
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Vorräte
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BLF3G21-6.135 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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Vorräte
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RN2117 ((TE85L,F) |
Trans Prebias PNP 50V 0,1A SSM
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Vorräte
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PTVA104501EH-V1-R0 |
IC AMP RF LDMOS H-33288-2
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Vorräte
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DTC124XCAHZGT116 |
NPN 100MA 50V digitaler Transistor
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Vorräte
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CG2H40035F |
GAN HEMT FET 28V 35W DC-4.0 GHz
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Vorräte
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
Trans Prebias PNP 50V SOT23-3
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Vorräte
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BLS7G2325L-105,112 |
Wird die Leistung von MOSFET-LDMOS 10V SOT502A angepasst?
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Vorräte
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BCR 112F E6327 |
Trans Prebias NPN 250 MW TSFP-3
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Vorräte
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BF1109WR,115 |
MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4
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Vorräte
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RN2107CT(TPL3) |
Trans Prebias PNP 20V 0,05A CST3
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Vorräte
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BLF7G27L-75P, 112 |
Rf FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A
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Vorräte
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FJNS3210RTA |
Trans Prebias NPN 300 MW TO92S
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Vorräte
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UNR31AM00L |
Trans Prebias PNP 100 MW SSSMINI3
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Vorräte
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BLP05H6250XRGY |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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Vorräte
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BLA0912-250,112 |
Rf FET LDMOS 75V 13DB SOT502A
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Vorräte
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Für die Verwendung in der Luft: |
Trans Prebias PNP 202MW SC70
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Vorräte
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Die Nummern 1 und 2 gelten nicht. |
JFET N-CH 25V 40MA SOT23
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Vorräte
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RN2426 ((TE85L,F) |
Trans Prebias PNP 50V 0,8A SMINI
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Vorräte
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BLF6G15L-40BRN,118 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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Vorräte
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DRA2144W0L |
TRANSPORT PREBIAS PNP 200MW MINI3
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Vorräte
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung. |
Rf FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B
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Vorräte
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RN2405, LXHF |
AUTO AEC-Q Einzel-PNP Q1BSR = 2,2K
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Vorräte
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MRFE6VP61K25GNR6 |
Transport-RF LDMOS 1250W 50V
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Vorräte
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UNR211200L |
TRANSPORT PREBIAS PNP 200MW MINI3
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Vorräte
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MRF5S18060NR1 |
FET RF 1,88 GHz TO-270-4
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Vorräte
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PDTC144VM,315 |
Trans Prebias NPN 250 MW SOT883
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Vorräte
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BLF882SU |
Rf FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B
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Vorräte
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PDTC123YM,315 |
Trans Prebias NPN 250 MW SOT883
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Vorräte
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BLF2425M7LS140,112 |
Rf FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
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Vorräte
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Die Ausrüstung ist in Form von |
Trans Prebias PNP 200 MW SOT323
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Vorräte
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DRC9124E0L |
Trans Prebias NPN 125 MW SSMINI3
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Vorräte
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ON5402,518 |
MOSFET-RF 8SOIC
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Vorräte
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RN2409, LF |
Trans Prebias PNP 50V 0,1A SMINI
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Vorräte
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PD57006TR-E |
Wird die Anlage in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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Vorräte
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PDTA143EQB-QZ |
PDTA143EQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
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Vorräte
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
CHIP RF-DIODE PIN 35V
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Vorräte
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DTC115TM3T5G |
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
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Vorräte
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HSMS-2803-BLKG |
Rf-DIODE SCHOTTKY 70V SOT23-3
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Vorräte
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Einheitliche Anweisungen für die Einhaltung der Bestimmungen des Artikels 4 Absatz 1 Buchstabe a |
Trans Prebias NPN 125 MW SSMINI3
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Vorräte
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MSS20-051-H27 |
DIODE, SCHOTTKY, BEAMLEAD, H47P
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Vorräte
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NSVMMUN2233LT3G |
NPN 0,246W SOT23
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Vorräte
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