FD200R12KE3PHOSA1
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Beschreibung:
IGBT-Module 1200V 200A
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
200 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Tray
Reihe:
C
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 200A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 125 °C
Strom - Sammlergrenze (maximal):
5 MA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Packung / Gehäuse:
Modul
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Ausstattung:
Einzigartig
NTC-Thermistor:
Nein
Basisproduktnummer:
FD200R12
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstoppe Einzel 1200 V 200 A Fahrgestellmontage Modul
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: