FP15R12W1T7B3BOMA1
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Beschreibung:
IGBT-Module mit geringer Leistung
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Tray
Reihe:
TrenchStop™
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Angabe der Größenordnung ist nicht erforderlich.
Mfr:
Infineon Technologies
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Packung / Gehäuse:
Modul
Eingabe:
Standards
Betriebstemperatur:
175°C (TJ)
Ausstattung:
Halbbrücke-Inverter
NTC-Thermistor:
Nein
Basisproduktnummer:
FP15R12
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Half Bridge Inverter 1200 V Fahrgestell AG-EASY1B-2
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: