Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.
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Beschreibung:
Module IGBT - IAP IGBT
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
96 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schachtel
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 100A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
650 V
Lieferanten-Gerätepaket:
In-A-PAK IGBT
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Strom - Sammlergrenze (maximal):
50 µA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
259 W
Eingabe:
Standards
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Ausstattung:
Halbbrücke-Inverter
NTC-Thermistor:
Nein
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Half Bridge Inverter 650 V 96 A 259 W Fahrgestellmontage
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: