Die Ausrüstung wird von der Anlage ausgerichtet.
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
900 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
D4
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 600A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
D4
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
5 MA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
2500 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
40 nF @ 25 V
Ausstattung:
Einzigartig
NTC-Thermistor:
Nein
Basisproduktnummer:
APTGT600
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstoppe Einzel 1200 V 900 A 2500 W Fahrgestellmontage D4
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: