DF200R12KE3HOSA1
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Beschreibung:
IGBT-Modul 1200V 1040W
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Sammlergrenze (maximal):
5 MA
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Tray
Reihe:
-
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 200A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 125 °C
Leistung - Max.:
1040 W
IGBT-Typ:
-
Packung / Gehäuse:
Modul
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Ausstattung:
Einzigartig
NTC-Thermistor:
Nein
Basisproduktnummer:
DF200R12
Einleitung
IGBT-Module Einfach 1200 V 1040 W Fahrgestellmontage-Modul
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: