NXH100B120H3Q0PG
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
61 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Tray
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 50A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
22-PIM (55x32,5)
Mfr:
Einheitlich
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
200 µA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
186 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
9.075 nF @ 20 V
Ausstattung:
2 Unabhängig
NTC-Thermistor:
Nein
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstopp 2 Unabhängige 1200 V 61 A 186 W Fahrgestellmontage 22-PIM (55x32,5)
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: