CM150DUS-12F
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Beschreibung:
IGBT MOD 600V 150A 520W
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
150 A
Produktstatus:
Ausgeschaltet bei Digi-Key
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
IGBTMODTM
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.7V @ 15V, 150A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
600 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Powerex Inc.
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
1 mA
IGBT-Typ:
Graben
Leistung - Max.:
520 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
41 nF @ 10 V
Ausstattung:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
Nein
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenhalbbrücke 600 V 150 A 520 W Fahrgestellmontage-Modul
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: