Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Beschreibung:
Fet-Rf HFET 12GHZ 2V 10MA S02
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Nennspannung:
4 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Geräuschwerte:
0.3dB
Lieferanten-Gerätepaket:
S02
Spannung - Test:
2 V
Mfr:
CEL
Häufigkeit:
12 GHz
Gewinn:
12.5 dB
Packung / Gehäuse:
4-SMD, flache Leitungen
Gegenwärtig - Test:
10 mA
Leistung - Leistung:
14dBm
Technologie:
GaAs HJ-FET
Leistungsbewertung (Ampere):
88mA
Einleitung
RF Mosfet 2 V 10 mA 12 GHz 12,5 dBm 14 dBm S02
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: