PTFA261702E V1
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Beschreibung:
IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Nennspannung:
65 V
Paket:
Tray
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
H30275-4
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
Infineon Technologies
Häufigkeit:
20,66 GHz
Gewinn:
15 dB
Packung / Gehäuse:
2-Flachbeutel, Flossenleiter
Gegenwärtig - Test:
1.8 A
Leistung - Leistung:
170W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
10µA
Einleitung
RF Mosfet 28 V 1,8 A 2,66 GHz 15 dB 170W H-30275-4
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: