BLS6G3135S-120,112
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Beschreibung:
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Nennspannung:
60 V
Paket:
Tray
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT502B
Spannung - Test:
32 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Häufigkeit:
3.1 GHz ~ 3,5 GHz
Gewinn:
11 dB
Packung / Gehäuse:
SOT-502B
Gegenwärtig - Test:
100 MA
Leistung - Leistung:
120 W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
7.2A
Basisproduktnummer:
BLS6
Einleitung
RF Mosfet 32 V 100 mA 3,1 GHz ~ 3,5 GHz 11 dB 120 W SOT502B
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: