FJN3309RBU
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Beschreibung:
Trans Prebias NPN 300 MW TO92-3
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Typ der Montage:
Durchs Loch
Häufigkeit - Übergang:
250 MHz
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 1mA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
40 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-92-3
Widerstand - Basis (R1):
4,7 kOhm
Mfr:
Einheitlich
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100nA (ICBO)
Leistung - Max.:
300mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 4 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu erg
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
100 @ 1mA, 5V
Basisproduktnummer:
FJN330
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) NPN - Bipolartransistor 40 V 100 mA 250 MHz 300 mW durch Loch TO-92-3
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: