CG2H80120D-GP4
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Beschreibung:
120 W GAN HEMT 28V 8,0 GHz DIE, G2
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Aktiv
Nennspannung:
84 V
Paket:
Tray
Reihe:
- Ich bin nicht hier.
Lieferanten-Gerätepaket:
Sterben.
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Häufigkeit:
8GHz
Gewinn:
12 dB
Packung / Gehäuse:
Sterben.
Leistung - Leistung:
120 W
Technologie:
HEMT
Leistungsbewertung (Ampere):
28A
Basisproduktnummer:
CG2H80120
Einleitung
RF Mosfet 28 V 8GHz 12dB 120W
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: