NE3510M04-T2-A
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Beschreibung:
FET RF 4V 4GHZ M04
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Nennspannung:
4 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Geräuschwerte:
0.45 dB
Lieferanten-Gerätepaket:
M04
Spannung - Test:
2 V
Mfr:
CEL
Häufigkeit:
4GHz
Gewinn:
16 dB
Packung / Gehäuse:
SOT-343F
Gegenwärtig - Test:
15 mA
Leistung - Leistung:
-
Technologie:
GaAs HJ-FET
Leistungsbewertung (Ampere):
97 mA
Basisproduktnummer:
Neurotechnik
Einleitung
RF Mosfet 2 V 15 mA 4 GHz 16 dB M04
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: