PTFA210701EV4T500XWSA1
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Beschreibung:
IC FET RF LDMOS
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Nennspannung:
65 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
H-36265-2
Spannung - Test:
30 V
Mfr:
Infineon Technologies
Häufigkeit:
2.11 GHz ~ 2.17 GHz
Gewinn:
16.5 dB
Packung / Gehäuse:
H-36265-2
Gegenwärtig - Test:
550mA
Leistung - Leistung:
18w
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Einleitung
RF Mosfet 30 V 550 mA 2,11 GHz ~ 2,17 GHz 16,5 dB 18W H-36265-2
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: