Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
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Beschreibung:
Fet-RF 110V 1.03GHZ NI-780H
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Nennspannung:
110 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
NI-780H-2L
Spannung - Test:
50 V
Mfr:
USA Inc.
Häufigkeit:
10,03 GHz
Gewinn:
190,7 dB
Packung / Gehäuse:
SOT-957A
Gegenwärtig - Test:
200 mA
Leistung - Leistung:
500 W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
MRF6V12500
Einleitung
RF Mosfet 50 V 200 mA 1,03 GHz 19,7 dB 500W NI-780H-2L
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: