RN1112CT(TPL3)
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
50 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
150mV @ 250μA, 5mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
20 V
Lieferanten-Gerätepaket:
CST3
Widerstand - Basis (R1):
22 kOhms
Mfr:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100nA (ICBO)
Leistung - Max.:
50 mW
Packung / Gehäuse:
SC-101, SOT-883
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
300 @ 1mA, 5V
Basisproduktnummer:
RN1112
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) mit vorgebildetem Anschluss (NPN) - Vorgebildeter 20 V 50 mA 50 mW Oberflächenhalter CST3
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: