RN2119MFV,L3F
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Beschreibung:
Trans Prebias PNP 50V 0,1A VESM
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500μA, 5mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
VESM
Widerstand - Basis (R1):
kOhms 1
Mfr:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100nA (ICBO)
Leistung - Max.:
150 mW
Packung / Gehäuse:
SOT-723
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
120 @ 1mA, 5V
Basisproduktnummer:
RN2119
Einleitung
Bipolartransistoren (BJT) mit vorgebildeter Anlage
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: