DDTC115ECA-7
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Beschreibung:
Trans Prebias NPN 200 MW SOT23-3
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Ausgeschaltet bei Digi-Key
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Häufigkeit - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Widerstand - Basis (R1):
100 kOhms
Mfr:
Dioden eingebunden
Widerstand - Emitterbasis (R2):
100 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
200 mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
82 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
DDTC115
Einleitung
Vorgespannter Bipolartransistor (BJT) NPN – vorgespannt 50 V, 100 mA, 250 MHz, 200 mW, Oberflächenmontage SOT-23-3
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: