DTA123JEBHZGTL
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Beschreibung:
PNP DIGITAL TRANSISTOR (mit BUI)
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
250 MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
Lieferanten-Gerätepaket:
EMT3F (SOT-416FL)
Widerstand - Basis (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Rohm Halbleiter
Widerstand - Emitterbasis (R2):
47 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
-
Leistung - Max.:
150 mW
Packung / Gehäuse:
SC-89, SOT-490
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
80 @ 10mA, 5V
Basisproduktnummer:
DTA123
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) PNP - Bipolartransistor 100 mA 250 MHz 150 mW Oberflächenhalter EMT3F (SOT-416FL)
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: