PDTA143EQC-QZ
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Beschreibung:
PDTA143EQC-Q/SOT8009/DFN1412D-
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Häufigkeit - Übergang:
180 MHZ
Typ der Montage:
Oberflächenberg, benetzbare Flanke
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
100mV @ 500μA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
DFN1412D-3
Widerstand - Basis (R1):
4,7 kOhm
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Widerstand - Emitterbasis (R2):
4,7 kOhm
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100nA
Leistung - Max.:
360 mW
Packung / Gehäuse:
3-XDFN-Aufdeckungsplattform
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
30 @ 10mA, 5V
Basisproduktnummer:
PDTA143
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) PNP - 50 V 100 mA 180 MHz 360 mW, Flächenaufbau, nassige Flanke DFN1412D-3
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: