Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Beschreibung:
Transistor GAN 100W 2,7-3,1 GHz
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Nennspannung:
65 V
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
-
Spannung - Test:
50 V
Mfr:
MACOM Technologielösungen
Häufigkeit:
20,7 GHz bis 3,1 GHz
Gewinn:
12 dB
Packung / Gehäuse:
-
Gegenwärtig - Test:
500 MA
Leistung - Leistung:
100 W
Technologie:
HEMT
Leistungsbewertung (Ampere):
4.2a
Einleitung
RF Mosfet 50 V 500 mA 2,7 GHz ~ 3,1 GHz 12 dB 100 W
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: