BLF878,112
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Beschreibung:
Rf FET LDMOS 89V 21DB SOT979A
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Nennspannung:
89 V
Paket:
Tray
Ausstattung:
Doppel, gemeinsame Quelle
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
CDFM2
Spannung - Test:
40 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Häufigkeit:
860MHz
Gewinn:
21dB
Packung / Gehäuse:
SOT-979A
Gegenwärtig - Test:
1,4 A
Leistung - Leistung:
300 W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Einleitung
RF Mosfet 40 V 1.4 A 860MHz 21 dB 300W CDFM2
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: