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Beschreibung:
Rf FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Nennspannung:
65 V
Paket:
Tray
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT502B
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Häufigkeit:
2.11 GHz ~ 2.17 GHz
Gewinn:
170,7 dB
Packung / Gehäuse:
SOT-502B
Gegenwärtig - Test:
2,4 A
Leistung - Leistung:
80W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
BLF8
Einleitung
RF Mosfet 28 V 2,4 A 2,11 GHz ~ 2,17 GHz 17,7 dB 80W SOT502B
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: