Neutralen Antrieb
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Beschreibung:
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Ausstattung:
N-Kanal
Nennspannung:
3 V
Paket:
Streifen
Reihe:
-
Geräuschwerte:
0.85dB
Spannung - Test:
2 V
Mfr:
CEL
Häufigkeit:
20 GHz
Gewinn:
10.5 dB
Packung / Gehäuse:
4-SMD, flache Leitungen
Gegenwärtig - Test:
6mA
Leistung - Leistung:
-
Technologie:
GaAs HJ-FET
Leistungsbewertung (Ampere):
15 mA
Einleitung
Funkfrequenz Mosfet 2 V 6 mA 20 GHz 10,5 dB
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: