DTA114ESA-AP
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Beschreibung:
Transistor TO-92
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Häufigkeit - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band und Box (TB)
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-92S
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Kleinstunternehmen
Widerstand - Emitterbasis (R2):
10 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
300mW
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 Kurzer Körper
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
DTA114
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) PNP - 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW durch Loch
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: