PDTA124ET-QR
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Beschreibung:
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthal
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Häufigkeit - Übergang:
180 MHZ
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
150 mV @ 10 mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23
Widerstand - Basis (R1):
22 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Widerstand - Emitterbasis (R2):
22 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100nA
Leistung - Max.:
250mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
60 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
PDTA124
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) PNP - 50 V 100 mA 180 MHz 250 mW mit vorgebildetem Bias
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: