DTB523YE3TL
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Beschreibung:
PNP, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
500 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
PNP - Vorverzerrt + Diode
Häufigkeit - Übergang:
260 MHZ
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 5mA, 100mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
12 V
Lieferanten-Gerätepaket:
EMT3
Widerstand - Basis (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Rohm Halbleiter
Widerstand - Emitterbasis (R2):
10 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
150 mW
Packung / Gehäuse:
SC-75, SOT-416
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
140 @ 100mA, 2V
Basisproduktnummer:
DTB523
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) PNP - Bipolartransistor + Diode 12 V 500 mA 260 MHz 150 mW Oberflächenhalter EMT3
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: