PDTC124TE,115
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
150mV @ 500μA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SC-75
Widerstand - Basis (R1):
22 kOhms
Mfr:
USA Inc.
Strom - Sammlergrenze (maximal):
1µA
Leistung - Max.:
150 mW
Packung / Gehäuse:
SC-75, SOT-416
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
100 @ 1mA, 5V
Basisproduktnummer:
PDTC124
Einleitung
Vor-voreingenommenes bipolar Transistor (BJT) NPN - Vor-voreingenommene 50 V 100 MA 150-mW-Oberflächenberg SC-75
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: