Die Ausrüstung ist mit einer Breite von
![Qualität [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Beschreibung:
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verwalten.
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
250 mV @ 1mA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SC-70-3 (SOT323)
Widerstand - Basis (R1):
47 kOhms
Mfr:
Einheitlich
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
202 mW
Packung / Gehäuse:
SC-70, SOT-323
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
120 @ 5mA, 10V
Basisproduktnummer:
München
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) NPN - 50 V 100 mA 202 mW vorgebildet
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: