UNR412300A
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Beschreibung:
Trans Prebias PNP 300 MW NS-B1
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
500 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Häufigkeit - Übergang:
200 MHz
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schneiden Sie Band (CT)
Band u. Kasten (TB)
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
250mV @ 5mA, 100mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
NS-A1
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Elektronische Komponenten von Panasonic
Widerstand - Emitterbasis (R2):
10 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
1µA
Leistung - Max.:
300mW
Packung / Gehäuse:
3-SSIP
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
60 @ 100mA, 10V
Basisproduktnummer:
UNR412
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) PNP - 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW durch Loch NS-A1
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: