BLP8G27-10Z
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Beschreibung:
Rf FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Nennspannung:
65 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Ausstattung:
Doppel, gemeinsame Quelle
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
16-HVSON (6x4)
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Häufigkeit:
2.14 GHz
Gewinn:
17 dB
Packung / Gehäuse:
16-VDFN freiliegendes Pad
Gegenwärtig - Test:
110 MA
Leistung - Leistung:
2W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
BLP8
Einleitung
RF Mosfet 28 V 110 mA 2,14 GHz 17 dB 2W 16-HVSON (6x4)
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: