DTC114YCAHZGT116
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Beschreibung:
NPN 100MA 50V digitaler Transistor
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
250 MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
Lieferanten-Gerätepaket:
SST3
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Rohm Halbleiter
Widerstand - Emitterbasis (R2):
47 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
-
Leistung - Max.:
350 mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
68 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
DTC114
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) NPN - vorgebildeter 100 mA 250 MHz 350 mW Oberflächenhalter SST3
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: