Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
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Beschreibung:
FET RF 68V 2,12 GHz TO272-4
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Nennspannung:
68 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-272 WB-4
Spannung - Test:
28 V
Mfr:
USA Inc.
Häufigkeit:
2.12 GHz
Gewinn:
14.5dB
Packung / Gehäuse:
TO-272BB
Gegenwärtig - Test:
500 MA
Leistung - Leistung:
10 W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
MRF5
Einleitung
RF Mosfet 28 V 500 mA 2,12 GHz 14,5 dB 10W TO-272 WB-4
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: