UNR211V00L
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Häufigkeit - Übergang:
80 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
250 mV @ 1,5 mA, 10 mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Mini3-G1
Widerstand - Basis (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Elektronische Komponenten von Panasonic
Widerstand - Emitterbasis (R2):
2,2 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
200 mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
6 @ 5mA, 10V
Basisproduktnummer:
UNR211
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) PNP - 50 V 100 mA 80 MHz 200 mW vorgebildeter Oberflächenmontierer Mini3-G1
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: