BLF647PSJ
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Beschreibung:
Rf FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Nennspannung:
65 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Ausstattung:
Doppel, gemeinsame Quelle
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
LDMOST
Spannung - Test:
32 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Häufigkeit:
1.3GHz
Gewinn:
17.5 dB
Packung / Gehäuse:
SOT-1121B
Gegenwärtig - Test:
100 MA
Leistung - Leistung:
200 W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Basisproduktnummer:
BLF647
Einleitung
RF Mosfet 32 V 100 mA 1,3 GHz 17,5 dB 200 W LDMOST
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: