TAV-551+
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Beschreibung:
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Nennspannung:
5 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Geräuschwerte:
10,7 dB
Lieferanten-Gerätepaket:
FG873
Spannung - Test:
3 V
Mfr:
mit einer Leistung von mehr als 10 W
Häufigkeit:
6 GHz
Gewinn:
16.3 dB
Packung / Gehäuse:
4-SMD, ohne Blei
Gegenwärtig - Test:
15 mA
Leistung - Leistung:
20.1 dB
Technologie:
E-PHEMT
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Einleitung
RF Mosfet 3 V 15 mA 6 GHz 16,3 dB FG873
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: