DTDG23YPT100
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Beschreibung:
Trans Prebias NPN 1,5 W MPT3
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
1 A
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Häufigkeit - Übergang:
80 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
400mV @ 5mA, 500mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
60 V
Lieferanten-Gerätepaket:
MPT3
Widerstand - Basis (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Rohm Halbleiter
Widerstand - Emitterbasis (R2):
22 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
1.5 W
Packung / Gehäuse:
TO-243AA
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
300 @ 500mA, 2V
Basisproduktnummer:
DTDG23
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) NPN - vorgebildeter 60 V 1 A 80 MHz 1,5 W Oberflächenhalter MPT3
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: