PTVA035002EVV1XWSA1
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Beschreibung:
IC AMP RF LDMOS
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Nennspannung:
50 V
Paket:
Tray
Ausstattung:
Zweifach
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
H-36275-4
Mfr:
Infineon Technologies
Häufigkeit:
390MHz bis 450MHz
Gewinn:
15.5dB
Packung / Gehäuse:
H-36275-4
Leistung - Leistung:
500 W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Einleitung
RF Mosfet 390MHz ~ 450MHz 15,5dB 500W H-36275-4
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: