1012GN-800V
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Beschreibung:
- Das ist nicht der Fall.
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Nennspannung:
150 V
Paket:
Schüttgut
Ausstattung:
-
Reihe:
V
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
55-KR
Spannung - Test:
54 V
Mfr:
Mikrochiptechnik
Häufigkeit:
1.025 GHz ~ 1.15 GHz
Gewinn:
19.3 dB
Packung / Gehäuse:
55-KR
Gegenwärtig - Test:
120 mA
Leistung - Leistung:
825 W
Technologie:
-
Leistungsbewertung (Ampere):
-
Einleitung
RF Mosfet 54 V 120 mA 1,025 GHz ~ 1,15 GHz 19,3 dB 825W 55-KR
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
In Stock
MOQ: