PDTB113ZS,126
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Beschreibung:
Trans Prebias PNP 500 MW TO92-3
Kategorie:
Getrennte Halbleiterbauelemente
In-Vorrat:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versandmethode:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
500 MA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band und Box (TB)
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-92-3
Widerstand - Basis (R1):
kOhms 1
Mfr:
USA Inc.
Widerstand - Emitterbasis (R2):
10 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
500 mW
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) bildete Führungen
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Basisproduktnummer:
PDTB113
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) PNP - 50 V 500 mA 500 mW durch das Loch bis zu 92-3
Stichworte:
Getrennte Halbleiterbauelemente
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: